创新之路，始于专注

作为现任职于华润微电子有限公司的关键技术骨干，郑晨焱在功率半导体集成电路领域经验丰富，技术能力强，他对于行业的敏感度高，可以准确分析市场并预判新产品的发展方向，并以自己的亲身实践提高企业在集成电路领域的产品技术研发与制造工艺能力，以技术推动产业的变革，促使企业形成先进的特色工艺和系列化的产品线，引领行业发展。

“奇骥一跃不能十步，弩马十驾功在不舍”，郑晨焱取得的成绩得益于他扎根于半导体集成电路领域30余年积累的经验，郑晨焱在“道”与“术”的层面皆有个人独特的优势。在“道”的层面，他擅长从全局分析问题，并为产品的研发全过程制定出精准的策略；在“术”的层面，无论是技术开发还是管理，他都能够将自己的才华运用在具体的策略实施中，并给予团队其他成员指导，促使整个团队一方面不断突破固有领域的技术瓶颈，另一方面创新发展路线，在新产品的开发与应用中不断取得突出的成就，在国内外竞争中脱颖而出。

郑晨焱的实践经验丰富，在他从业的30多年间，参与了多个项目，并在其中担任关键角色，推动项目的运行。他的领导能力强，擅长组织管理，总能够激发团队成员的创新力和凝聚力，让团队成员优势互补，激发团队的创新动能。他曾担任上海先进半导体制造有限公司（中外合资公司）总裁助理、二厂厂长，中航（重庆）微电子有限公司技术研发部半导体工艺研发总监、现任公司技术研发中心副主任、技术创新中心高级总监等职位，通过充分发挥自己的技术架构能力、技术领导力和技术实现能力，他推动了公司功率半导体的技术研发工作的开展，用自己前沿的视野驱动公司的业务和技术的革新，以他在商业中的洞察力帮助企业进行技术创新与产业迭代。

郑晨焱具有解决问题的能力，他多次带领团队在核心技术的开发中实现突破，取得良好的成绩，他能够把握住团队的方向，提高团队的综合能力，以团队的技术发展助推企业的产业创新。通过专利检索可以看到，他曾在原中航（重庆）微电子有限公司于2012年和团队共同研发了世界上第一款“8”工艺量产、适用于太阳能发电的工业级旁路深槽 SBD产品，该产品性价比高、性能可靠，由此具有经常竞争力，占领了该领域的中高端市场，受到国内外客户的青睐；他也曾与团队研发出高可靠性特高压 MOSFET突破技术，这也是关键性能指标优于全球唯一供应商的同类产品，从而填补了国内空白，提高了我国在这一行业的软实力；他曾带领团队在SAC（自对准）深槽MOSFET技术层面实现了突破，使得他所任职的公司成为国内第一家掌握该先进技术的 IDM公司，在市场上独占鳌头，也推动企业综合能力的提升。

郑晨焱的领导力和洞察力总能让他站在行业前沿，随着SiC,GaN技术的发展和应用不断加深，他参与了650V/1200V工业级SiC产品以及硅基 GaN技术相关课题研究，带领公司先进器件组承150V/600V等硅基 GaN器件/技术的研发并通过验收结题。这也促使企业硅基 GaN技术上处于国内先进水平，成为行业标杆，对于行业的发展具有强大的影响力，对于半导体集成电路领域技术的突破具有指导力。

作为企业的核心技术研发和管理人物，郑晨焱带领团队为企业带来了一系列切实有力的收益，既通过一系列创新促使企业在国内具有高竞争力、拥有良好的声誉，也通过新产品的发展为企业带来丰厚的利润。通过相关搜索显示，他和团队研发的SBD产品在2017年至2021年为企业带来了上亿元销售额；他所参与研发的深槽OSFET产品在相同时间为企业带来几十亿元销售额。除了颇具亮点的销售额数据，他还曾在2000年前后为企业进行了制造人力资源和成本的研究，并结合研究数据，为他今后对企业人才的指导与培养、对于企业不断突破这一技术文化的涵养，都具有不可估量的作用。在他的影响下，他所任职的历届企业创新氛围浓厚，整体的技术能力也在不断提高。

在郑晨焱多年的工作经验中，他总能以全局视野审视公司的发展前景，并以目标为导向，分析公司过往的技术经验，预测未来的行业方向，由此参与公司具有可行性和科学性的技术发展路线图和产品发展路线图的研究，同时与团队一起布局公司的全面投资规划路线，推动公司在新行业、新领域取得新成就，降低风险，实现稳健发展。

“工欲善其事，必先利其器。”郑晨焱明白技术的强大力量，他也不断提高自己的技术管理能力，通过阅读前沿期刊、不断总结反思创新技术思维，提高统筹规划能力，而后“利其器”，促使技术在实际工作中的运用发挥强大的作用，并由“术”到“道”，推动功率半导体行业的创新与发展。（文：孙明明）

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